首页 商品介绍 蚀刻制程 选择性铜蚀刻液 ( Selective Cu etching chemical) 2 选择性铜蚀刻液 ( Selective Cu etching chemical) 1. 只针对Cu layer进行所需之蚀刻,不伤锡合金, 钛, 铝,镍等金属, 。 2. 适用於IC substrate的Cu seed layer及wafer Cu UBM层 3. 药水蚀刻速率稳定性高 4. 低侧蚀(undercut) CE-168:选择性铜蚀刻液 (20Kg /桶)CE-168N:不伤镍之铜蚀刻液 (20Kg /桶) 339076